MRAM技术中间隙物积体方法

摘要

一种磁性阻抗记忆体装置藉由蚀刻一覆盖金属堆叠来加以制造，该覆盖金属堆叠包含一缓冲层，一牵制磁性层，一通道障碍层以及一自由磁性层。在蚀刻程序期间，由再溅镀金属所产生之接合短路问题，藉由一将自由层及通道障碍界面侧覆盖之保护性间隙物的形成来加以消除。该间隙物系在透过自由层而停止于障碍层的第一蚀刻后形成。在间隙物形成之后，第二蚀刻被加以进行来分离该装置。装置通道接合的刻划图案利用一可丢弃心轴方法来进行，使得一自行调准的接触，随着装置刻划图案程序之完成而被加以制得。