发明名称 多晶矽制造方法、多晶矽及太阳电池
摘要 本发明提供一种新的多晶矽、可抑制少数载体寿命的光劣化,用为太阳能电池的基板时,能够有效地抑制变换效率的劣化。其手段为,将矽原料与镓掺杂剂在坩埚内混合充填,在不活性气体中加热至所定温度,使该矽原料熔解。再将熔解的矽原料冷却结晶,形成含有镓掺杂的多晶矽。
申请公布号 TW200405912 申请公布日期 2004.04.16
申请号 TW091134715 申请日期 2002.11.29
申请人 东京农工大学 发明人 齐藤 忠
分类号 C30B29/06;H01L31/04 主分类号 C30B29/06
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 日本