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发明名称
多晶矽制造方法、多晶矽及太阳电池
摘要
本发明提供一种新的多晶矽、可抑制少数载体寿命的光劣化,用为太阳能电池的基板时,能够有效地抑制变换效率的劣化。其手段为,将矽原料与镓掺杂剂在坩埚内混合充填,在不活性气体中加热至所定温度,使该矽原料熔解。再将熔解的矽原料冷却结晶,形成含有镓掺杂的多晶矽。
申请公布号
TW200405912
申请公布日期
2004.04.16
申请号
TW091134715
申请日期
2002.11.29
申请人
东京农工大学
发明人
齐藤 忠
分类号
C30B29/06;H01L31/04
主分类号
C30B29/06
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
日本
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