薄膜半导体器件的制造方法

摘要

一种薄膜半导体器件的制造方法，该半导体器件在基板的一部分上形成衬底保护膜，进而使用等离子体增强的化学汽相淀积装置在该衬底保护膜上形成半导体膜，所述衬底保护膜包含一种绝缘材料，将所述半导体膜作为晶体管的有源层，该方法的特征在于，包括工序：将所述衬底保护膜暴露到氧等离子体或氢等离子体中；然后，在不破坏等离子体增强的化学汽相淀积装置真空的条件下在所述衬底保护膜的顶部形成所述半导体膜。

主权项

1.一种薄膜半导体器件的制造方法，该半导体器件在基板的一部分上形成衬底保护膜，进而使用等离子体增强的化学汽相淀积装置在该衬底保护膜上形成半导体膜，所述衬底保护膜包含一种绝缘材料，将所述半导体膜作为晶体管的有源层，该方法的特征在于，包括以下工序：将所述衬底保护膜暴露到氧等离子体或氢等离子体中；然后在不破坏等离子体增强的化学汽相淀积装置真空的条件下在所述衬底保护膜的顶部形成所述半导体膜。