制造半导体装置接触塞柱之方法

摘要

本发明系揭示一种制造半导体装置接触塞柱之方法。CMP制程系在中间层绝缘薄膜与多晶矽层上，利用所揭示之含有氧化剂之酸性CMP浆液进行，藉以使中间层绝缘薄膜与多晶矽层之盘形化现象降至最低。因此，可防止装置特征之降质，这会造成半导体装置之特征与可靠性之改良，以制造高度整合之半导体装置。