TFT阵列电路板及其制造方法

摘要

在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层，形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线，并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层，使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间，然后进行分割曝光。

主权项

1.一种TFT阵列电路板，包括：绝缘电路板；形成于所述绝缘电路板上，并包括栅极线、与所述栅极线连接且具有第一栅极部分及第二栅极部分的栅极的栅极布线；覆盖所述栅极布线的栅极绝缘层；形成于所述绝缘层上部并具有位于所述第一栅极部分之上的第一半导体部分和位于所述第二栅极部分之上的第二半导体部分的半导体层；形成于所述半导体层上部并包括与所述栅极线交叉的数据线、与所述数据线连接并包括与所述第一半导体部分邻接第一源极部分和与所述第二半导体部分邻接的第二源极部分的源极，包括以所述第一栅极部分为中心与所述第一源极部分相对且与所述第一半导体部邻接的第一漏极和以所述第二栅极部分为中心与所述第二漏极部分相对，且与所述第二半导体部分邻接的第二漏极部分的漏极的数据布线；以及与所述漏极连接的像素电极。