Monolithische integrierte Photonik mit lateralem Bipolar und Bicmos

摘要

Nach einem Bilden eines ersten Grabens, der sich durch eine obere Halbleiterschicht und eine vergrabene Isolator-Schicht hindurch und in ein Handhabungssubstrat eines Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Substrats hinein erstreckt, wird innerhalb des ersten Grabens ein Stapel aus Material für einen dielektrischen Wellenleiter gebildet, der eine untere dielektrische Mantelschicht, eine Kernschicht sowie eine obere dielektrische Mantelschicht beinhaltet. Als nächstes wird in einem verbliebenen Teilbereich der oberen Halbleiterschicht wenigstens ein lateraler Bipolartransistor (BJT) gebildet, der aus einem pnp-BJT, einem npn-BJT oder einem Paar von komplementären pnp-BJT und npn-BJT bestehen kann. Nach einem Bilden eines zweiten Grabens, der sich durch den Stapel aus Material für den dielektrischen Wellenleiter hindurch erstreckt, um einen Teilbereich einer Bodenfläche des ersten Grabens wieder freizulegen, wird in dem zweiten Graben eine Laserdiode gebildet.