发明名称 防止微影制程对准失误的结构与方法
摘要 一种防止微影制程对准失误的结构与方法,其系应用在金属内连线之微影制程中,此方法系首先在一基底上方之一结构层上形成一铝层。接着,在铝层之表面上形成一抗反射层,其中此抗反射层系由至少二钛层以及至少二氮化钛层交错堆叠而成。由于抗反射层系由至少二钛层以及至少二氮化钛层交错堆叠而成,因此可以分散氮化钛之应力,而使整个抗反射层较为均匀,以避免后续微影制程产生对准失误。
申请公布号 TW200419645 申请公布日期 2004.10.01
申请号 TW092106742 申请日期 2003.03.26
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 苏金达;赖隽仁;颜裕林
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路十六号