发明名称 | 防止微影制程对准失误的结构与方法 | ||
摘要 | 一种防止微影制程对准失误的结构与方法,其系应用在金属内连线之微影制程中,此方法系首先在一基底上方之一结构层上形成一铝层。接着,在铝层之表面上形成一抗反射层,其中此抗反射层系由至少二钛层以及至少二氮化钛层交错堆叠而成。由于抗反射层系由至少二钛层以及至少二氮化钛层交错堆叠而成,因此可以分散氮化钛之应力,而使整个抗反射层较为均匀,以避免后续微影制程产生对准失误。 | ||
申请公布号 | TW200419645 | 申请公布日期 | 2004.10.01 |
申请号 | TW092106742 | 申请日期 | 2003.03.26 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 苏金达;赖隽仁;颜裕林 |
分类号 | H01L21/027 | 主分类号 | H01L21/027 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路十六号 |