改善晶圆边缘晶片之次启始电压的方法

摘要

本发明提供一种改善晶圆边缘晶片之次启始电压的方法，首先，提供一半导体基底及一光罩，半导体基底上形成有一光阻层，而光罩定义有一阵列区；接着，以光罩为罩幕对光阻层进行曝光以使光阻层形成一开口，开口露出半导体基底之部份表面，且开口为后续形成之阵列区之位置；然后，以光阻层为罩幕，对半导体基底进行第一次离子植入步骤，以在半导体基底表面形成一第一离子植入区，且当第一离子植入区位于半导体基底之边缘时，以光阻层为罩幕，对第一离子植入区进行第二次离子植入以形成一第二离子植入区。