| 主权项 |
1.一种半导体封装基板之散热片制作方法,其步骤包括:提供一散热材料;于该散热材料表面覆盖一光阻层,并使该光阻层上形成有至少一开口以外露出该散热材料;利用电镀方式于该散热材料上外露出光阻层开口之表面形成至少一凸部;以及移除该光阻层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该散热片可内嵌至半导体封装基板中,并使至少一半导体晶片接置于该散热片凸部上,以有效逸散半导体晶片之热量。3.如申请专利范围第1项之方法,其中,该散热材料为金属材料。4.如申请专利范围第1项之方法,其中,该散热材料为非金属材料。5.如申请专利范围第4项之方法,其中,该非金属之散热材料表面上形成有导电金属层,俾作为后续电镀制程之电流传导路径。6.如申请专利范围第5项之方法,其中,该导电金属层可由金属及合金所组群组之任一者构成。7.如申请专利范围第6项之方法,其中,该导电金属层可选自铜、锡、镍、铬、钛、铜-铬合金及锡-铅合金所构成组群之任一者。8.如申请专利范围第5项之方法,其中,该导电金属层可藉由物理气相沈积(PVD)、化学气相沈积(CVD)、无电镀沈积、化学沈淀、溅镀(sputtering)、蒸镀(evaporation)、电弧蒸气沈积(arc vapor deposition)、离子束溅镀(ion beam sputtering)、雷射熔散沈积(laserablation deposition)、电浆促进之化学气相沈积及有机金属之化学气相沈积之任一者方式,形成于该非金属之散热材料表面。图式简单说明:第1图系习知技艺之半导体基板剖面示意图,其中显示以导热栓作为散热结构之半导体封装基板;第2图系习知技艺之半导体封装基板剖面示意图,其中显示具有高散热结构散热片之半导体封装基板;第3A图至第3D图系习知技艺之半导体封装基板高散热结构散热片制作方法流程步骤之剖面示意图;以及第4A图至第4D图系本发明之半导体封装基板之散热片制作方法流程步骤之剖面示意图。 |
