发明名称 | 一种场发射元件之制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种场发射元件之制备方法,包括下列步骤:提供一工作板,该基底具有一平整表面;于所述工作板表面形成一催化剂层;通入碳源气体,加热至反应温度,于催化剂作用下,生成奈米碳管阵列;于奈米碳管阵列顶端形成阴极电极;去除工作板,露出奈米碳管阵列生长面。本发明方法形成之奈米碳管阵列发射端于同一平面,从而可实现电子均匀发射。 | ||
申请公布号 | TW200421386 | 申请公布日期 | 2004.10.16 |
申请号 | TW092107708 | 申请日期 | 2003.04.04 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 刘亮;范守善 |
分类号 | H01J1/30 | 主分类号 | H01J1/30 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街二号 |