发明名称 一种场发射元件之制备方法
摘要 本发明涉及一种场发射元件之制备方法,包括下列步骤:提供一工作板,该基底具有一平整表面;于所述工作板表面形成一催化剂层;通入碳源气体,加热至反应温度,于催化剂作用下,生成奈米碳管阵列;于奈米碳管阵列顶端形成阴极电极;去除工作板,露出奈米碳管阵列生长面。本发明方法形成之奈米碳管阵列发射端于同一平面,从而可实现电子均匀发射。
申请公布号 TW200421386 申请公布日期 2004.10.16
申请号 TW092107708 申请日期 2003.04.04
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 刘亮;范守善
分类号 H01J1/30 主分类号 H01J1/30
代理机构 代理人
主权项
地址 台北县土城市自由街二号