| 主权项 |
1.一种金氧半电晶体的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有一闸极,且该闸极侧壁已形成有一间隙壁;形成一源/汲极区于该间隙壁侧边之该基底内;于该闸极与该源/汲极区暴露出的表面形成复数个自行对准金属矽化层;利用一蚀刻步骤去除部分该间隙壁,使其成为一锐角间隙壁;对该基底进行一倾斜口袋离子植入,以于该闸极侧边之该基底内形成一口袋掺杂区域,且藉由控制该局部离子植入的能量与角度,以使口袋掺杂区域接近该基底表面;去除该锐角间隙壁;以及于该闸极侧边之该基底内形成一源/汲极延伸区。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中,该锐角间隙壁之剖面大致呈三角形。3.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中去除该锐角间隙壁的步骤包括湿式蚀刻法。4.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该间隙壁的材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中形成该些自行对准金属矽化层的步骤包括:于该基底上形成一金属层并覆盖该闸极;进行一热处理步骤,使该金属层与该闸极及该源/汲极区反应形成该些自行对准金属矽化层;以及去除未反应之该金属层。6.如申请专利范围第5项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该金属层的材质包括钛。7.一种金氧半电晶体的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有一闸极,且该闸极侧壁已形成有一间隙壁;形成一源/汲极区于该间隙壁侧边之该基底内;利用一蚀刻步骤去除部分该间隙壁,使其成为一锐角间隙壁,该锐角间隙壁之剖面大致呈三角形;对该基底进行一倾斜口袋离子植入,以于该闸极侧边之该基底内形成一口袋掺杂区域,且藉由控制该局部离子植入的能量与角度,以使口袋掺杂区域接近表面;去除该锐角间隙壁;以及于该闸极侧边之该基底内形成一源/汲极延伸区。8.如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中,该锐角间隙壁之剖面大致呈三角形。9.如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中形成该间隙壁之步骤后,更包括于该闸极与该源/汲极区上形成复数个自行对准金属矽化层。10.如申请专利范围第9项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中形成该些自行对准金属矽化层的步骤包括:于该基底上形成一金属层并覆盖该闸极;进行一热处理步骤,使该金属层与该闸极及该源/汲极区反应形成该些自行对准金属矽化层;以及去除未反应之该金属层。11.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该金属层的材质包括钛。12.如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中去除该锐角间隙壁的步骤包括湿式蚀刻法。13.如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该间隙壁的材质包括氮化矽。图式简单说明:第1A图至第1C图是习知之金氧半电晶体的制造流程剖面图;以及第2A图至第2E图是依照本发明较佳实施例之金氧半电晶体的制造流程剖面图。 |
