关键尺寸控片及其制造方法

摘要

一种关键尺寸(Critical Dimension；CD)控片(Control Wafer)及其制造方法。本发明之关键尺寸控片及其制造方法之特征在于，使用一离子束(例如聚焦离子束(Focus Ion Beam；FIB))在关键尺寸控片之薄膜上挖掘出一图形，因此此关键尺寸控片可用来监控一关键尺寸量测仪器(如扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope；SEM))之线宽量测品质。此外，上述薄膜之材质可为金属，例如铝、铜、钨、或其合金等。