发明名称 用以于非依电性记忆体系统内执行多页写入操作之方法及装置
摘要 本发明系有关于用以促进非依电性记忆体系统之多页或多区块操作之方法与装置。根据本发明之一态样,用以执行多页命令之方法包括获得第一惯则之可识别与非依电性记忆体有关的第一页的第一页数,及令第一页数对映于第二惯则之第二页数。如同第一页数,第二页数亦可识别第一页。令第一页数对映于第二页数包括识别与非依电性记忆体有关之总区数及与总区块数之每一区块有关的总页数。最后,第一页系使用第二页数及多页命令而存取。
申请公布号 TW200424846 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW092125783 申请日期 2003.09.18
申请人 圣迪斯克公司 发明人 张;瓜瓦米 巴曼;沙贝特-夏希 法希德;李平
分类号 G06F12/00 主分类号 G06F12/00
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国