降低反窄通道效应之浅沟渠隔离制程

摘要

本发明系关于一种降低反窄通道效应之浅沟渠隔离制程，其步骤包括：提供一半导体基底，其表面形成有一罩幕层；依序定义上述罩幕层及半导体基底，藉以形成一沟渠；于沟渠内形成一保护层，并部份露出未为保护层所覆盖之沟渠侧壁；施行一离子植入程序，并以上述保护层为离子植入罩幕，于邻近露出渠沟侧壁之半导体基底内形成一掺杂区；以及去除保护层并形成一隔离层，填入于该沟渠内以形成一浅沟渠隔离物。