发明名称 晶圆级晶片尺寸封装之制造方法
摘要 一种晶圆级晶片尺寸封装之制造方法,其系在一晶片之主动面上形成一光阻层,该光阻层形成有复数个线形曝露区与块状曝露区,于该些线形曝露区与块状曝露区形成一图案化导电层,该导电层系包含有复数个重分配迹线及复数个凸块接垫,再于该图案化导电层覆盖一障蔽金属层,之后,形成复数个凸块,于移除该光阻层后,再于该晶片之主动面形成一强化胶体,该强化胶体系密封该些重分配迹线与该障蔽金属层并支撑该些凸块之底部,以同时提供该些重分配迹线之保护与该些凸块之周围支持,并以覆盖于该图案化导电层之该障蔽金属层增进该图案化导电层之重分配迹线之强度。
申请公布号 TW200501369 申请公布日期 2005.01.01
申请号 TW092117495 申请日期 2003.06.26
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA) ., LTD 英属百慕达 发明人 郑世杰;刘安鸿;王永和;赵永清;李耀荣
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 张启威
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研发一路一号