利用一测试结构制造半导体元件之方法

摘要

本发明揭示当在一基板上测试半导体元件之制造时，该半导体元件具有复数个单元类型，该测试系透过于该基板上提供至少一个测试结构而实现，该测试结构之若干测试单元具有与该等复数个单元类型之一或多个单元类型相似之单元类型，每一该等单元类型具有至少一第一与一第二局部互联层结构，该等局部互联层结构在使用时将连接至预定之电源电压，还具有复数个第一与第二多晶矽层结构，以分别向第一与第二电子部件结构提供控制电压，在该测试结构中将所有该等复数个第一多晶矽层结构相互连接以提供一互连之第一多矽层结构，同时在该测试结构中将所有该等复数个第二多晶矽层结构相互连接以提供一互连之第二多晶矽层结构，提供预定测试电压并测量从该测试电压产生之电流以发现制造错误。