用于最佳化互补式金属氧化物半导体元件效能之基材工程

摘要

本案提供一种具有不同类型互补金属氧化物半导体装置(CMOS)，即PFET及NFET位在半导体基材上之积体半导体结构，其中每一CMOS装置系被制造成使得用于每一装置之电流流量为最佳。明确地说，该结构包含一半导体基材，其具有一(110)表面取向及一缺口指向电流流动之＜001＞方向中；及至少一PFET及至少一NFET位在该半导体基材上。该至少一PFET具有一电流量流向＜110＞方向及该至少一NFET具有一电流量流向＜100＞方向。该＜110＞方向系垂直于该＜100＞方向。本案同时也提供制造例如积体半导体结构的方法。