具有确保接触边界的矽化物层的高积集半导体元件及其制造方法

摘要

一种具有确保接触边界的矽化物层的高积集半导体元件及此高积集半导体元件的制造方法。此高积集半导体元件包括一个闸极电极形成于半导体基底上，在闸极电极两侧的半导体基底预定的上方区域上形成一个源极区与一个汲极区，因此每一源极区与汲极区包括一个轻掺杂汲极(LDD)区与一个重掺杂区，在闸极电极、源极区、与汲极区上形成一层矽化物层，此矽化物层具有足够的厚度以作为一个欧姆接触，并形成在每一源极区与汲极区的LDD区与一个重掺杂区上。