| 主权项 |
1.一种光电装置,其特征乃具备于基板上,向第1方向延伸存在的资料线,和延伸存在于交叉在前述资料线之第2方向的扫描线,和对应于前述资料线及前述扫描线之交叉范围,加以配置之画素电极及薄膜电晶体,和电气连接于前述薄膜电晶体及前述画素电极的储存容量;构成前述储存容量之介电质膜乃由包含不同之材料的复数层所成的同时,其中一层乃较其他之层,包含由高介电率材料所成层。2.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,配置有配置于前述资料线及前述画素电极间之遮蔽层。3.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述介电质膜乃由氧化矽膜及氮化矽膜所成。4.如申请专利范围第1项或第2项之光电装置,其中,前述储存容量乃于较前述薄膜电晶体之半导体层为上层,且形成于前述画素电极之下层。5.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述层间绝缘膜之表面乃施以平坦化处理。6.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述资料线乃做为与构成前述储存容量之一对之电极之一方的同一膜而形成。7.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,更具备与构成前述储存容量之一对之电极之至少一方,将前述画素电极电极性连接的中继层,做为前述堆积构造的一部份。8.如申请专利范围第7项之光电装置,其中,前述遮蔽层乃做为与中继层同一膜而形成。9.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,前述遮蔽层乃由透明导电性材料所成的同时,关于前述基板之整面,形成成黏稠状者。10.如申请专利范围第2项之光电装置,其中,前述遮蔽层乃略前述资料线,且形成成为较前述资料线宽度为广者。11.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述薄膜电晶体乃具有包含向长度方向延伸之通道范围和从该通道范围更向长度方向延伸之通道邻接范围的半导体层,前述扫描线乃具有包含向交互于前述长度方向之方向延伸的同时,由平面视之,重叠于前述通道范围之前述薄膜电晶体之闸极电极之本体部,和平面视之,于前述通道邻接范围之侧边,从前述本体向前述长度方向突出之水平性突出部。12.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述薄膜电晶体乃具有包含向长度方向延伸之通道范围的半导体层,具备将前述薄膜电晶体之前述通道范围,由上侧至少被覆的上侧遮光膜,前述上侧遮光膜乃至少部分地,于正交于前述通道范围之长度方向的剖面上,由前述通道范围侧视之,形成成为凹状者。13.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述薄膜电晶体乃具有包含向第1方向延伸之通道范围的半导体层,前述扫描线乃具有包含在于前述通道范围藉由闸极绝缘膜对向配置之前述薄膜电晶体之闸极电极的同时,平面性视之,具有向与前述第1方向交叉之前述第2方向延伸之本线部,平面性视之,具有从前述通道范围向前述第2方向,由离开特定距离之处的前述本线部,包围前述半导体层地加以延伸设置之包围部者。14.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述薄膜电晶体乃具有包含向第1方向延伸之通道范围的半导体层,前述扫描线乃具有包含在于前述通道范围藉由闸极绝缘膜对向配置之前述薄膜电晶体之闸极电极的同时,平面性视之,具有向与前述第1方向交叉之前述第2方向延伸之本线部,平面性视之,具有从前述通道范围向前述第2方向,由离开特定距离之处的前述本线部,向下方突出之垂直性突出部。15.如申请专利范围第14项之光电装置,其中,于前述基板上,更具备将至少前述通道范围从下侧被覆的下侧遮光膜,前述垂直性突出部乃于该前端部,接触于前述下侧遮光膜。16.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述薄膜电晶体乃具有包含向第1方向延仲之通道范围的半导体层,前述扫描线乃具有包含在于前述通道范围藉由闸极绝缘膜对向配置之前述薄膜电晶体之闸极电极的同时,平面性视之,具有向与前述第1方向交叉之前述第2方向延伸之本线部,该本线部乃包含配置于挖掘于前述基板上之沟内的同时,将前述通道范围从侧方至少部分被覆之沟内部分。17.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述薄膜电晶体乃具有包含向第1方向延伸之通道范围的半导体层,前述扫描线乃具有包含在于前述通道范围藉由闸极绝缘膜对向配置之前述薄膜电晶体之闸极电极的同时,平面性视之,具有向与前述第1方向交叉之前述第2方向延伸之本线部,该本线部乃包含向前述第2方向延伸的同时,配置于挖掘于前述基板上之沟内部分及向前述第2方向延伸的同时,配置于前述沟外之沟外部分。18.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述画素电极乃该复数个成平面排列的同时,包含于第1之周期为进行反转驱动之第1之画素电极群及于与该第1之周期互补之第2之周期,为进行反转驱动之第2之画素电极群;前述资料线及前述遮蔽层之至少一方乃包含将前述扫描线之上侧,交叉于该扫描线延伸之本线部及从该本线部沿前述扫描线展开之展开部;于对向配置于前述基板之对向基板上,具备对向于前述复数之画素电极的对向电极,于前述基板上之前述画素电极之基材表面,对应前述展开部之存在,由平面视之,于成为挟着前述扫描线相邻接的画素电极之间隙的范围,形成凸部。19.如申请专利范围第1项之光电装置,其中,前述画素电极乃该复数个成平面排列的同时,包含于第1之周期为进行反转驱动之第1之画素电极群及于与该第1之周期互补之第2之周期,为进行反转驱动之第2之画素电极群;更具备在对向配置于前述基板之对向基板上,对向于前述复数之画素电极的对向电极,和由平面视之,形成于成为相邻接之画素电极之间隙的范围的凸部;前述凸部乃经由蚀刻,于前述凸部上,除去暂时形成之平坦化膜,且于该除去后,后退前述凸部之表面所成之表面阶差成为缓和的凸部。20.一种光电装置,其特征乃具备于基板上,同第1方向延伸存在的资料线,和延伸存在于交叉在前述资料线之第2方向的扫描线,和对应于前述资料线及前述扫描线之交叉范围,加以配置之画素电极及薄膜电晶体,和电气性连接于画素电极的储存容量,和配置于前述资料线及前述画素电极间的遮光膜;构成前述储存容量之介电质膜乃由包含不同之材料的复数层所成的同时,其中一层乃较其他之层,包含由高介电率材料所成层。21.一种电子机器,其特征乃具备备有于基板上,向第1方向延伸存在的资料线,和延伸存在于交叉在前述资料线之第2方向的扫描线,和对应于前述资料线及前述扫描线之交叉范围,加以配置之画素电极及薄膜电晶体,和电气连接于前述薄膜电晶体及前述画素电极的储存容量,构成前述储存容量之介电质膜乃由包含不同之材料的复数层所成的同时,其中一层乃较其他之层,包含由高介电率材料所成层的光电装置。图式简单说明:第1图系显示显示设置在构成本发明之实施形态的光电装置之影像显示范围之矩阵状的复数之画素之各种元件、配线等之等效电路的电路图。第2图系形成有本发明之实施形态的光电装置之资料线、扫描线、画素电极等之TFT阵列基板的相邻接之复数的画素群的平面图。第3图系只抽出第2图中的重要部位的平面图。第4图系第2图的A-A'剖面图。第5图系与半导体层一同地摘录第2图中的扫描线3a的水平性突出部以及挖掘在基材绝缘膜之沟而显示的平面图。第6图系第5图之B-B'剖面图。第7图系第5图之C-C'剖面图。第8图系第5图之D-D'剖面图。第9图系与第5图同样意思的图,显示该图的水平性突出部由包围部所置换之情形的形态。第10图系第9图之E-E'剖面图。第11图系第9图之F-F'剖面图。第12图系变形形态之第9图的E-E'剖面图。第13图系与第2图相同意思的图,显示沿着扫描线之沟乃设置在基材绝缘膜之点系与该图不同之形态图。第14图系第13图之G-G'剖面图。第15图系关于第14图之变形形态的第13图之G-G'剖面图。第16图系关于第14图之变形形态的第13图之G-G'剖面图。第17图与第4图相同意思的图,显示遮蔽层的变形形态。第18图系显示在复数的资料线中,在位于供给群的端部之资料线设置遮蔽层之形态的重要部位斜视图。第19图系与第18图相同意思的图,为概念地显示在位于该供给群之端部之资料线和画素电极间所产生的容量耦合之样子图。第20图系与第2图相同意思的图,就储存容量和资料线形成在各别的层之形态做显示。第21图系与第2图相同意思的图,就储存容量和资料线形成在各别的层之形态做显示。第22图系说明横向电场之发生机构用之说明图。第23图系与第4图相同意思的图,显示成为设置有横向电场发生防止之凸部的形态图。第24图系第20图之G-G'剖面图,显示成为设置有横向电场发生防止之凸部的形态图。第25图系关于成为第20图及第21图所示形态之光电装置,就形成第23图及第24图所示凸部之具体形态(利用资料线、遮蔽层用中继层及第2中继层之形态)而做显示之斜视图。第26图系关于成为第20图及第21图所示形态之光电装置,就形成第23图及第24图所示凸部之具体形态(利用遮蔽层及第3中继层之形态)而做显示之斜视图。第27图系由对向基板侧观看本发明之实施形态之光电装置的TFT阵列基板和形成在其上之各构成要素的平面图。第28图系第27图之H-H'剖面图。第29图系显示本发明之电子机器的实施形态之投射型彩色显示装置之一例的彩色液晶投影机之图式性剖面图。 |
