| 主权项 |
1.一种可发射光束之半导体晶片,其具有一个活性层及多个在活性层(6)之范围中在侧面以此活性层(6)为边界之侧面(5),其特征为:此半导体晶片具有至少四个倾斜式平行四边形之侧面(5)(其形成锐角)。2.如申请专利范围第1项之可发射光束之半导体晶片,其中此半导体晶片具有至少四个倾斜式平行六边形之侧面(5)(其形成锐角)。3.如申请专利范围第1或2项之可发射光束之半导体晶片,其中此活性层(6)配置在基板(2)上。4.如申请专利范围第3项之可发射光束之半导体晶片,其中此活性层(6)之光束一部份在基板(2)上之方向中发射。5.如申请专利范围第1或2项之可发射光束之半导体晶片,其中各平行四边形之侧面(5)中之锐角小于80。6.如申请专利范围第3项之可发射光束之半导体晶片,其中各平行四边形之侧面(5)中之锐角小于80。7.如申请专利范围第4项之可发射光束之半导体晶片,其中各平行四边形之侧面(5)中之锐角小于80。8.如申请专利范围第1或2项之可发射光束之半导体晶片,其中此基板(2)以蓝宝石,氮化镓,氮化矽,氧化锌,钻石或石英玻璃为主而制成。9.如申请专利范围第3项之可发射光束之半导体晶片,其中此基板(2)以蓝宝石,氮化镓,氮化矽,氧化锌,钻石或石英玻璃为主而制成。10.如申请专利范围第4项之可发射光束之半导体晶片,其中此基板(2)以蓝宝石,氮化镓,氮化矽,氧化锌,钻石或石英玻璃为主而制成。11.一种可发射光束之半导体晶片之制造方法,首先在基板(2)之表面上形成一种活性层(6),然后此基板(2)与活性层(6)一起切锯成半导体晶片,其特征为:此半导体晶片沿着一种倾斜于表面而延伸之分割面(5)而切割。12.如申请专利范围第11项之方法,其中使用一种具有倾斜式切锯刀片之切锯装置来切割此半导体晶片。图式简单说明:第1图 半导体晶片之透视图。第2图 第1图之半导体晶片之俯视图。第3图 第1图之半导体晶片之侧视图。第4图 在第1图之半导体晶片中具有一些可能之光路径之一种横切面。第5图 一种图解,其显示该射出率百分比相对于第1图之半导体晶片之几何构造之各种不同之基准角之关系。 |
