抗散射衰减结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种抗散射衰减结构，适用于避免高能粒子辐射进入积体电路元件。上述抗散射衰减结构包括一具有积体电路元件之半导体基底，其中半导体基底区分成一粒子辐射区域与一非粒子辐射区域。以及一具有阻障结构之层间介电层，形成于该半导体基底上，其中阻障结构位于粒子辐射区域与非粒子辐射区域间，用于阻绝在粒子辐照时，粒子散射进入非粒子辐射区域。