发明名称 半导体装置之涂膜溶液之评估方法
摘要 本发明提供一种评估半导体装置的涂膜所用溶液之方法,其包括在该溶液过滤通过一具有0.01至0.4微米之平均孔径大小的过滤器之时,测量半导体涂膜所用溶液的堵塞度(Clogging Degree),及估计从该溶液形成的涂膜之品质,其中该堵塞度系以下面的公式予以定义:堵塞度=V2/V1V1:一溶液于固定的压力和温度之下过滤之情况中,于起始标准点的滤液线速度之值(对每1平方厘米之过滤器的过滤速率(克/(平方厘米.分)))V2:从起始标准点排放出一预定的滤液重量之点的滤液线速度值。根据本发明方法,不必实际形成涂膜即可演算出涂膜品质,且可以藉此评估涂膜所用溶液。
申请公布号 TW200514183 申请公布日期 2005.04.16
申请号 TW093128815 申请日期 2004.09.23
申请人 住友化学工业股份有限公司 发明人 花元幸夫;山本敏
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本