| 摘要 |
〔课题〕在中途不产生空乏，进行非挥发性记忆体单元之抹除。〔解决手段〕藉由电性抹除与写入，控制非挥发性记忆体单元(MC)之临界值电压成为可以可逆地变更之控制电路(10)系在抹除动作中，控制：以复数个单位进行非挥发性记忆体单元之抹除之抹除处理(S1、S2)，及对超过空乏位准前之预先写回位准之挥发性记忆体单元进行写入之第1写入处理(S5、S6)，及在第1写入处理后，对于超过写回位准之非挥发性记忆体单元进行写入之第2写入处理(S3)。在抹除处理中，对于似乎要超过空乏位准之非挥发性记忆体，逐次藉由第1写入处理以抑制空乏的发生，可在中途不产生空乏，进行非挥发性记忆体单元之抹除。 |
