| 摘要 |
本发明系有关一种制造半导体元件的方法，是种方法包括如下步骤：在一半导体基板的表面上形成闸极；在半导体基板表面上形成接合区；在所得的半导体基板构造上形成第一BPSG层；对第一BPSG层进行化学机械磨光制程；在第一BPSG层上形成第二BPSG层；形成一定位插接接触体；在所得的半导体基板构造上沈积一多晶矽层；对多晶矽层第二BPSG层与氮化物硬质光罩执行第二化学机械磨光制程，化学机械磨光制程系藉由使用对于氮化物层具有高磨光选择性的酸性泥浆来进行，使得在晶胞区与周围区的阶段差可被去除，因此简化了半导体的制程，并去除去了膨出现象。 |
