| 摘要 |
本发明课题在于提供一种具备有不使基板温度上昇，实现不纯物电气活性化，基板选择限制较少，可靠性高之半导体薄膜的基板。再者，提供一种具备有提高供施行回火用之能量的吸收效率，高品质且可靠性高之半导体薄膜的基板。将不纯物薄膜或半导体薄膜膜厚，控制成对后续光照射步骤呈最佳状态。藉此，在后续施行回火时，藉由选择最佳波长，或配合所选择之光波长将薄膜构造形成为最佳状态，便使光能量几乎大部分被半导体薄膜或不纯物薄膜所吸收，可在玻璃基板温度几乎未上昇的情况下施行回火。所以，可将软化点较低且廉价的玻璃或塑胶使用为基板，而且回火用光源亦可选择工业上可轻易取得的廉价光源。 |
