| 主权项 |
1.一种半导体元件,其包括:一半导体基板,具有一主要表面;一熔丝电路,构成位在该主要表面上方,该熔丝电路所具有的每一熔丝元件具有一预定的切断点;一第一沟隔离区域,其构成在位于该熔丝电路下方的该半导体基板的一表面层中;以及复数之主动区域拟真,其通过该第一沟隔离区域构成在一除了环绕该预定切断点的一预定区域之外的区域中。2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其进一步包括一矽化物层,覆盖该至少一主动区域拟真。3.如申请专利范围第1项之半导体元件,其进一步包括复数之绝缘薄膜,每一薄膜覆盖所结合的该其中之一主动区域拟真的一半导体表面。4.如申请专利范围第1项之半导体元件,其进一步包括一连续绝缘薄膜,覆盖该主动区域拟真的半导体表面。5.如申请专利范围第1项之半导体元件,其进一步包括:一第二沟隔离区域,其构成在位于与该熔丝电路不同的一区域中该半导体基板的表面层中;一主动区域,其构成通过该第二沟隔离区域;以及一包括一MOS电晶体的主电路,包括横跨地构成在该主动区域的一表面上的一绝缘闸极、构成在位于该绝缘闸极之双侧边上的该主动区域中的源极/汲极区域、以及构成在该源极/汲极区域之表面上的矽化物层。6.如申请专利范围第1项之半导体元件,其进一步包括一闸极拟真,构成在该至少之一主动区域拟真上。7.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该预定区域系为具有一预定半径的一区域。8.如申请专利范围第1项之半导体元件,其进一步包括复数之具有通孔导体及一线路图案的线路层,其中该熔丝电路系由一护环所环绕,该护环系以与通孔导体及线路图案之相同层所制成。9.一种半导体元件,其包括:半导体基板,,具有一主要表面;一熔丝电路,构成位在该主要表面上方,该熔丝电路所具有的每一熔丝元件具有一预定的切断点;一第一沟隔离区域,其构成位于该熔丝电路下方的该半导体基板的一表面层中;复数之主动区域拟真,其构成通过该第一沟隔离区域;以及一绝缘薄膜,覆盖该主动区域拟真的一半导体表面。10.如申请专利范围第9项之半导体元件,其进一步包括:一第二沟隔离区域,其构成在位于与该熔丝电路不同的一区域中该半导体基板的表面层中;一主动区域,其构成通过该第二沟隔离区域;以及一包括一MOS电晶体的主电路,包括横跨地构成在该主动区域的一表面上的一绝缘闸极、构成在位于该绝缘闸极之双侧边上的该主动区域中的源极/汲极区域、以及构成在该源极/汲极区域之表面上的矽化物层,其中该主动区域拟真之半导体表面不具矽化物层。图式简单说明:第1图系为本发明之一第一具体实施例之一半导体元件的部分平面图。第2图系为第一具体实施例之一半导体元件的一部分横截面视图。第3图系为第一具体实施例之一修改形式的一半导体元件的一部分平面图。第4图系为第一具体实施例之一修改形式的一半导体元件的一部分横截面视图。第5图系为本发明之一第二具体实施例之一半导体元件的部分平面图。第6图系为第二具体实施例之一半导体元件的部分横截面视图。第7图系为本发明之一第三具体实施例之一半导体元件的部分平面图。第8图系为第三具体实施例之半导体元件的部分横截面视图。第9A至9I图系为横截面视图,图示相关技艺之拟真图案构成制程。第10图系为平面图,图示相关技艺之熔丝元件之布局。 |
