制造半导体装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造一半导体装置之方法。在一种制造半导体装置之方法中，一高电压装置与一低电压装置系同时形成，在一用于形成一高电压区之一较厚闸极氧化膜之热氧化制程之前，先藉由一离子植入制程打断一高电压区内该氧化膜之该表面上的一焊接结构。在生长一实际高电压区之该氧化膜时，该高电压区之该氧化膜之生长速度快于加热方法之该生长速度，从而可减少该鸟嘴现象。因此，由于该PN接面处的一空泛区增大，该等CCST特性得以改善。