| 主权项 |
1.一种覆晶封装制程,至少包括下列步骤:提供一导线架,该导线架具有多数个引脚,配置于该导线架之周围,且每一该些引脚系具有一接合表面;形成一第一焊罩层于相邻之该些引脚之间;覆盖一第二焊罩层于该第一焊罩层与该些引脚之上;形成至少一开口于该第二焊罩层中,且该开口系暴露出该些引脚之该接合表面;以覆晶接合方式,电性连接一晶片之凸块与该些引脚之该接合表面;以及形成一封胶,以覆盖于该晶片、该导线架之该些引脚以及该第一、第二焊罩层上。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中该接合表面系形成于该些引脚向内延伸之一端。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中该第一焊罩层以涂布的方式形成于相邻之该些引脚之间,并经过烘烤而固化。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中该第一焊罩层形成于该些引脚所在之平面。5.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中该第二焊罩层以涂布感光材料的方式所形成,且以曝光、显影之微影制程形成该开口之后,再经过烘烤而固化。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中该第二焊罩层以贴附感光性乾膜的方式所形成,且经过曝光、显影之微影制程以定义出该开口的位置。7.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中该第二焊罩层以印刷的方式形成该开口。8.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中在形成该第一焊罩层于相邻之该些引脚之间之步骤前,更包括先贴附一胶带于该导线架之底面。9.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装制程,其中在覆晶接合之后,更包括一移除该胶带之步骤。10.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装制程,其中在该封胶完成之后,更包括一移除该胶带之步骤,以暴露出该些引脚之底面。11.如申请专利范围第10项所述之覆晶封装制程,其中该封胶系暴露出该第一焊罩层之底面。12.如申请专利范围第9或10项所述之覆晶封装制程,更包括选择性蚀刻该些引脚之底面,以定义该些引脚之接点位置。13.一种导线架结构,包括:多数个引脚;一第一焊罩层,配置于相邻该些引脚之间;以及一第二焊罩层,覆盖于该第一焊罩层以及该些引脚之间,该第二焊罩层具有一开口,其显露出该些引脚之部分表面。14.如申请专利范围第13项所述之导线架结构,其中该第二焊罩层系显露出该些引脚向内延伸之一端。15.如申请专利范围第13项所述之导线架结构,更包括一胶带,贴附于该些引脚之底面。16.如申请专利范围第13项所述之导线架结构,其中该些引脚之材质为铜。17.一种覆晶封装结构,包括一导线架,具有多数个引脚,且每一该些引脚系具有一接合表面;一第一焊罩层,配置于相邻该些引脚之间;一第二焊罩层,覆盖于该第一焊罩层以及该些引脚之间,该第二焊罩层具有一开口,其显露出该些引脚之该接合表面;一晶片,具有多数个凸块,其对应连接该些引脚之该接合表面;以及一封胶,覆盖于该晶片、该导线架之该些引脚以及该第一、第二焊罩层上。18.如申请专利范围第17项所述之覆晶封装结构,其中该接合表面系形成于该些引脚向内延伸之一端。19.如申请专利范围第17项所述之覆晶封装结构,其中该导线架适用于四方扁平无接脚之封装型态。20.如申请专利范围第19项所述之覆晶封装结构,其中该些引脚系显露于该覆晶封装结构之底部表面。21.如申请专利范围第19项所述之覆晶封装结构,其中该第一焊罩层系显露于该覆晶封装结构之底部表面。22.如申请专利范围第17项所述之覆晶封装结构,其中该导线架之材质为铜。23.如申请专利范围第17项所述之覆晶封装结构,其中每一该些引脚之底面具有一接点位置,其显露于该封胶之外。24.一种阵列覆晶封装制程,包括:提供一导线架,该导线架具有多个阵列排列之封装单元,而每一该些封装单元具有多数个引脚,其配置于该些封装单元之外围,且每一该些引脚系具有一接合表面;形成一第一焊罩层于每一该些封装单元中相邻之该些引脚之间;覆盖一第二焊罩层于该第一焊罩层与每一该些封装单元之该些引脚之上;形成多数个开口于该第二焊罩层中,且该些开口之一对应位于该些封装单元之一中,并暴露出该些引脚之该接合表面;以覆晶接合方式,电性连接多个晶片之凸块至该些引脚之该接合表面,而该些晶片之一对应位于该些封装单元之一中;形成一封胶,以覆盖该晶片、每一该些封装单元以及该第一、第二焊罩层上;以及进行切割,以使该些封装单元形成各自独立的封装体。25.如申请专利范围第24项所述之阵列覆晶封装制程,其中该接合表面系形成于该些引脚向内延伸之一端。26.如申请专利范围第24项所述之阵列覆晶封装制程,其中该第一焊罩层以涂布的方式形成于相邻之该些引脚之间,并经过烘烤而固化。27.如申请专利范围第24项所述之阵列覆晶封装制程,其中该第一焊罩层形成于该些引脚所在之平面。28.如申请专利范围第24项所述之阵列覆晶封装制程,其中该第二焊罩层以涂布感光材料的方式所形成,且以曝光、显影之微影制程形成该些开口之后,再经过烘烤而固化。29.如申请专利范围第24项所述之阵列覆晶封装制程,其中该第二焊罩层以贴附感光性乾膜的方式所形成,且经过曝光、显影之微影制程以定义出该些开口的位置。30.如申请专利范围第24项所述之阵列覆晶封装制程,其中该第二焊罩层以印刷的方式形成该开口。31.如申请专利范围第24项所述之阵列覆晶封装制程,其中在形成该第一焊罩层于相邻之该些引脚之间之步骤前,更包括先贴附一胶带于该导线架之底面。32.如申请专利范围第31项所述之阵列覆晶封装制程,其中在覆晶接合之后,更包括一移除该胶带之步骤。33.如申请专利范围第31项所述之阵列覆晶封装制程,其中在该封胶完成之后,更包括一移除该胶带之步骤,以暴露出该些引脚之底面。34.如申请专利范围第33项所述之阵列覆晶封装制程,其中该封胶系暴露出该第一焊罩层之底面。35.如申请专利范围第32或33项所述之阵列覆晶封装制程,更包括选择性蚀刻该些引脚之底面,以定义该些引脚之接点位置。36.一种导线架结构,包括:多数个引脚,每一该些引脚系具有一接合表面,其特征在于每一该些引脚之一表面系覆盖有一不润湿层(non-wetting layer),且该不润湿层系具有一开口,其系显露出该些引脚之该接合表面,以使该不润湿层对该导线架之该接合表面而言为非润湿化表面。37.如申请专利范围第36项所述之导线架结构,其中该接合表面系形成于该些引脚向内延伸之一端。38.如申请专利范围第36项所述之导线架结构,其中该不润湿层系为一焊罩层。39.如申请专利范围第36项所述之导线架结构,更包括一第二不湿润层,其系配置于相邻之该些引脚之间。40.如申请专利范围第39项所述之导线架结构,其中该第二不湿润层系为一焊罩层。图式简单说明:图1绘示习知一种以导线架作为晶片载板之覆晶封装结构的示意图。图2绘示本发明一较佳实施例之一种覆晶封装制程的流程图。图3~图8分别绘示本发明一较佳实施例之一种覆晶封装制程的剖视与俯视示意图。 |
