| 摘要 |
依照一个范例实施例，一种在半导体晶粒之矽化物层(214)之上形成接点之方法，包括步骤：在接触孔(208)侧壁(206、207)上和在位于接触孔(208)底部之原有氧化物层(210)上沉积障壁层(202)，其中该侧壁(206、207)由介电层(204)中之接触孔(208)所界定。该沉积(150)障壁层(202)于接触孔(208)之侧壁(206、207)和于原有氧化物层(210)上之步骤(150)能够最佳化，而使得障壁层(202)在接触孔(208)之顶部具有厚度较在该接触孔(208)之底部厚。依照此范例实施例，本方法复包括去除(152)障壁层(202)之一部分(219)和位于在接触孔(208)底部之原有氧化物层(210)，以暴露矽化物层(214)之步骤。 |
