| 摘要 |
本发明揭示具有不同掺质浓度轮廓之二区域之一半导体晶圆藉由执行二(或更多)测量于该二区域中，并比较来自该二区域之测量，以获得该二区域之间反射率之一差异之一反射率改变测量指示加以评估。若另一区域之对应特性为已知，分析该反射率改变测量产生其中一区域之一或多个特性。举例来说，若该二区域其中之一系掺杂，而另一区域系非掺杂(如一电晶体之源极／汲极与通道区域)，接着该二区域间之反射率之一改变可产生一或多个下列特性于该掺杂区域中：(1)掺杂浓度，(2)接面或轮廓深度，及(3)于该接面之掺质浓度之一轮廓之陡度(即斜率)。在某些实施例中，上述二区域中之测量藉由使用电磁辐射之唯一光束加以执行。在数个此类实施例中，当反射率系一入射光束之波长之一函数，使用三个不同波长之雷射光束做三组测量，以获得三个反射率改变测量(各个波长各一测量)。接下来，该三反射率改变测量用以解决该掺杂区域之各个三个特性，称为接面深度、掺杂浓度、及轮廓陡度。 |
