| 主权项 |
1.一种一微影投影装置之位准感应器,该位准感应器包括:一光源、一第一反射器、一第二反射器及一侦测器,定位该第一反射器以导引自该光源之光朝着一晶圆表面,且定位该第二反射器以将自该晶圆表面所反射之光导引至该侦测器,其中选择该第一及第二反射器以产生一最小之过程依赖性视表面凹陷。2.复数个微影投影装置,其包括:一用于提供辐射之一投影光束之辐射系统;一用于支撑图案化构件之支撑结构,该图案化构件用于根据一所需图案来图案化该投影光束;一用于固持一基板之基板台;及一用于将该已图案化之光束投影于该基板之一目标部分的投影系统,其中各微影装置进一步包括一位准感应器,该位准感应器包括一光源、一第一反射器、一第二反射器及一侦测器,定位该第一反射器以导引自该光源之光朝着一晶圆表面,且定位该第二反射器以将自该晶圆表面所反射之光导引至该侦测器,其中各位准感应器之该等第一及第二反射器大体上相同,藉此大体上消除了各个微影装置之间之过程依赖性视表面凹陷的相对变化。3.如申请专利范围第1项或第2项之装置,其中该等第一及第二反射器为镜面。4.如申请专利范围第3项之装置,其中该等镜面为金属且其涂布有一透明材料。5.如申请专利范围第4项之装置,其中该材料为Al2O3、MgF2或SiO2中之一。6.如申请专利范围第3项之装置,其中该等镜面之各个镜面上之该涂层系厚度为275+/-40奈米之Al2O3,或另一具有一相等光学厚度之材料。7.如申请专利范围第3项之装置,其中各个镜面上具有不同厚度之涂层,该等镜面上之该涂层为Al2O3且厚度差异为130+/-40奈米。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该等镜面中的一镜面具有一厚度为90+/-40奈米之涂层且其他镜面具有一厚度为220+/-40奈米之涂层。9.如申请专利范围第3项之装置,其中各个镜面上具有不同厚度之涂层,该等镜面上之该涂层为一除Al2O3外之材料,且该厚度差异系光学上等于Al2O3之130+/-40奈米。10.如申请专利范围第9项之装置,其中该等镜面之一镜面具有一光学上等于Al2O3之90+/-40奈米之厚度的涂层,且其他镜面具有一光学上等于Al2O3之220+/-40奈米之厚度的涂层。11.如申请专利范围第4项之装置,其中该等金属镜面为Ag。12.如申请专利范围第4项之装置,其中该等金属镜面为Al。13.如申请专利范围第4项之装置,其中该等镜面为Al且其涂布有一自生氧化物层。14.如申请专利范围第3项之装置,其中该等镜面为Au。15.如申请专利范围第3项之装置,其中该等镜面为介电镜面。16.一种一微影投影装置之位准感应器,该位准感应器包括:一光源、一第一反射器、一第二反射器及一侦测器,定位该第一反射器以导引自该光源之光朝着一晶圆表面,且定位该第二反射器以将自该晶圆表面所反射之光导引至该侦测器,其中该等反射器系成对配置,其被配置成针对各对反射器提供大体上为零之视表面凹陷的组态。17.如申请专利范围第16项之装置,其中该对反射器包括一棱镜或五棱镜之两个表面。图式简单说明:图1描绘了包括一位准感应器之微影投影装置;图2描绘了可将本发明施加至其的位准感应器;图3,包含图3a及图3b,描绘了由本发明者来识别并由本发明来定址之一位准感应器及一相关问题;图4描绘了可将本发明施加至其的一替代位准感应器;图5,包含图5a及图5b,描绘了使本发明具体化之一位准感应器的部件;图6描绘了使本发明具体化之一位准感应器;且图7a、7b、8a、8b、9a及9b为显示使用了用于构造本发明之实施例之模型所获得之结果的图表。 |
