| 主权项 |
1.一种应变矽基材之制造方法,包括以下之步骤:提供一矽基板;于该矽基底板上形成一含多重锗量子点(multiple Ge quantum dots)之矽锗缓冲层;于该矽锗缓冲层上形成一SixGel-x层,其中0<x<1;以及于该SixGel-x层形成一应变矽层(strained silicon)。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该多重锗量子点(multiple quantum dots)之矽锗缓冲层为含多重锗量子点(multiple Ge quantum dot)之矽锗缓冲层。3.如申请专利范围第l项所述之制造方法,其中该矽锗缓冲层之量子点密度介于1010cm-2与1011cm-2之间。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该矽锗缓冲层之量子点间之间距介于10与50nm之间。5.如申请专利范围第l项所述之制造方法,其中该矽锗缓冲层之矽介层厚度介于30与50nm之间。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中均匀SixGel-x层之厚度介于200与1000nm之间。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该含多重锗量子点(multiple quantum dot)之矽锗缓冲层系以化学气相沈积法,超高真空化学气相沈积法,分子磊晶法形成。8.如申请专利范围第l项所述之制造方法,其中该含多重锗量子点(multiple Ge quantum dot)之矽锗缓冲层之穿遂差排密度小于5105cm-2。9.一种应变矽基材,包含:一矽基板;一应变矽层(strained silicon);一含多重锗量子点(multiple Ge quantum dot)之矽锗缓冲层,系位于该矽基板与该应变矽层之间;以及一均匀SixGel-x层,系位于该应变矽层与该含多重锗量子点(multiple Ge quantum dot)之矽锗缓冲层之间;且其中0<x<1。10.如申请专利范围第9项所述之应变矽基材,其中该矽锗缓冲层之锗量子点密度介于1010与1011cm-2之间。11.如申请专利范围第9项所述之应变矽基材,其中该矽锗缓冲层之锗量子点间之间距介于10与50nm之间。12.如申请专利范围第9项所述之应变矽基材,其中该矽锗缓冲层之厚度介于30与50nm之间。13.如申请专利范围第9项所述之应变矽基材,其中该均匀SixGel-x层之厚度介于200与1000nm之间。14.如申请专利范围第9项所述之应变矽基材,其中该含多重锗量子点(multiple Ge quantum dot)之矽锗缓冲层之穿遂差排密度小于5105cm-2。15.如申请专利范围第9项所述之应变矽基材,其系用于制造光电元件或电子元件。图式简单说明:图1系习知渐变矽锗磊晶层虚拟基材之剖视图。图2系本发明一较佳实施例之低差排应变矽基材之剖视图。图3系本发明一较佳实施例之低差排应变矽基材之细部剖视图。图4系本发明一较佳实施例之应变矽电子显微镜剖视图。图5系本发明一较佳实施例之应变矽放大电子显微镜剖视图。图6系本发明一较佳实施例之应变矽拉曼光谱及层数变化时峰値之相对应变化比例图。图7系本发明一较佳实施例之应变矽X光绕射光谱图。图8系本发明一较佳实施例应变矽之层数变化时X光绕射光谱峰値之相对应变化比例图。 |
