| 摘要 |
揭示了一种经改良之蚀刻方法，以用于创在尺寸精准之微米和次微米的通孔开口。具体而言，本发明系揭示了一种用于沉积在一半导体基板(28)上之聚合物层(24)的通孔蚀刻方法，其包括的步骤：放置该半导体基板，该半导体基板包括了聚合物层(24)；放置沉积在该聚合物层(24)上之硬掩膜(30)；以及放置沉积在该硬掩膜(30)上的光阻剂掩膜(32)。本发明更进一步揭示执行硬掩膜开口的步骤(34)，其包括将一第一氟化物气体释放至该腔室之中。更进一步而言，还揭示了执行一聚合物蚀刻步骤(40)，其包括将一第二氟化物气体(42)释放至该腔室之中。本发明亦包括了硬掩膜的移除与逐渐变尖细的通孔步骤(46)以增加制程极限。 |
