浅沟隔离方法及结构

摘要

一种利用浅沟隔离(STI)技术制造积体电路(IC)之方法。该浅沟隔离技术使用于应变矽(SMOS)制程。于形成沟渠(34)后形成应变材料(36)。制程能使用于埋置之氧化物(buried oxide；Box)层(14)之上之化合物半导体层(16)。