| 摘要 |
本发明系关于一种半导体晶圆之晶片分割方法，其为，在基板上形成半导体层所成之半导体晶圆分割成多数的半导体晶片之方法者。第一之方法系包含形成在半导体晶圆之表面上，留下格子状露出部之图案之耐喷砂罩幕之步骤，及对半导体晶圆喷射微粒子喷砂材，在格子状露出部形成到达前述基板之预定深度之分割用槽沟之步骤者。第二之方法系包含在半导体晶圆之形成有半导体层侧之表面，用切片，蚀刻或喷砂法等形成槽沟宽幅相对地较狭窄的第一分割用槽沟的步骤，及在半导体晶圆之非形成半导体层侧之表面且对应于第一分割用槽沟之位置，用切片法形成槽沟宽幅相对地较宽之第二分割用槽沟之步骤者。 |
