| 主权项 |
1.一种适用于形成光导波器之可摄像组成物,该组成物包括:矽倍半氧烷聚合物,其包括:具式(RSiO1.5)之单元,其中R为经取代或未经取代之有机侧链基团,且该聚合物之所有该单元皆不含羟基,以及其中该单元包括具式(R1SiO1.5)及(R2SiO1.5)之单元,其中R1与R2不同及为经取代或未经取代之有机侧链基团且不含羟基;及二或多个官能性终端基团;及光活性成分,其中该矽倍半氧烷聚合物的溶解度于曝露于光化辐射时发生改变,而使该组成物可于水性显影剂溶液中显影。2.如申请专利范围第1项之可摄像组成物,其中R1与R2有一者为经取代或未经取代之芳族基,及R1与R2之另一者为经取代或未经取代之脂族基。3.如申请专利范围第1项之可摄像组成物,其中R1与R2有一者为苯基,及R1与R2之另一者为甲基。4.一种适用于形成光导波器之可摄像组成物,该组成物包括:矽倍半氧烷聚合物,其包括:具式(RSiO1.5)之单元,其中R为经取代或未经取代之有机侧链基团,且该聚合物之所有该单元皆不含羟基,以及其中该单元包括具式(R1SiO1.5)之单元,其中R1为经取代或未经取代之有机侧链基团且不含羟基;及一或多个羟基终端基团;及光活性成分,其中该矽倍半氧烷聚合物羟基含量为0.5至15莫耳%。5.如申请专利范围第4项之可摄像组成物,其中该矽倍半氧烷聚合物进一步包括具式(R2SiO1.5)之单元,其中R1与R2相同或不同。6.如申请专利范围第5项之可摄像组成物,其中R1与R2有一者为经取代或未经取代之芳族基,及R1与R2之另一者为经取代或未经取代之脂族基。7.如申请专利范围第6项之可摄像组成物,其中R1与R2有一者为苯基,及R1与R2之另一者为甲基。8.如申请专利范围第1至7项之任一项之可摄像组成物,其中该矽倍半氧烷聚合物进一步包括具式((R3)2SiO)之单元,其中R3为经取代或未经取代之有机基团。9.如申请专利范围第1至7项之任一项之可摄像组成物,进一步包括挠性剂。10.一种形成光导波器之方法,该方法包括:(a)于基板上沉积如申请专利范围第1至9项之任一项之可摄像组成物层,该层具有比基板更高的折射率;(b)使部分该层曝露于光化辐射;及(c)使该曝光层显影,因而形成核心结构。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该显影步骤系藉使该曝光层与水性显影剂溶液接触而进行。12.如申请专利范围第10项之方法,进一步包括在核心结构上沉积包覆层。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该包覆层包括矽倍半氧烷聚合物。14.如申请专利范围第10至13项之任一项之方法,其中该矽倍半氧烷聚合物进一步包括具式((R3)2SiO)之单元,其中R3为经取代或未经取代之有机基团。15.如申请专利范围第10至13项之任一项之方法,其中该可摄像组成物进一步包括挠性剂。16.一种光导波器,其包括核心及包覆层,其中该核心系由如申请专利范围第1至9项之任一项之可摄像组成物形成。17.一种电子装置,其包括一或多个如申请专利范围第16项之导波器。 |
