| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体元件的制造方法,包括下列步骤:形成一闸极于一基底上;对该闸极之表面进行一电浆处理以去除该闸极表面之氧化物;形成一缓冲层覆盖该闸极;形成一闸极绝缘层于该缓冲层上;形成一半导体层于该闸极绝缘层上;以及形成一源极与一汲极于部分该半导体层上。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中对该闸极之表面进行之电浆处理所使用之气体系为氢气。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该缓冲层系为一氮化物层。4.如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该缓冲层系藉由对该闸极进行一氮气电浆处理所形成之氮化物层。5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该缓冲层系在NH3气体的存在下藉由对该闸极进行一退火制程所形成之氮化物层,且该退火制程之温度范围系200-400℃形成。6.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该基底是玻璃基底或石英基底。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该闸极系金属或多晶矽材质。8.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该闸极包括Al、Mo、Cr、W、Ta、Cu、Ag、Pd或上述金属的合金。9.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该闸极包括Cu、Ag或其合金。10.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该缓冲层之材质系为氮化铜。11.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该闸极绝缘层包括SiOx或SiNx或SiONx或TaOx或AlxOy。12.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该半导体层系由电浆辅助化学气相沉积法形成包括多晶矽或非晶质矽。13.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该源极与该汲极系为金属材质。14.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该源极与该汲极包括Al或Mo或Cr或W或Ta或Ti或Ni或上述金属的合金。15.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,在形成该闸极之前,更包括形成一保护层于该绝缘基底上,以保护该薄膜电晶体元件的表面。16.一种薄膜电晶体元件的制造方法,包括下列步骤:形成一闸极于一基底上;对该闸极之表面进行一氢气电浆处理以去除该闸极表面之氧化物;形成一氮化物缓冲层覆盖该闸极;形成一闸极绝缘层于该缓冲层上;形成一半导体层于该闸极绝缘层上;以及形成一源极与一汲极于部分该半导体层上。17.如申请专利范围第16项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该基底是玻璃基底或石英基底。18.如申请专利范围第16项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该闸极绝缘层包括SiOx或SiNx或SiONx或TaOx或AlxOy。19.如申请专利范围第16项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该半导体层系由电浆辅助化学气相沉积法形成包括多晶矽或非晶质矽。20.如申请专利范围第16项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该源极与该汲极系为金属材质。21.如申请专利范围第16项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该源极与该汲极包括Al或Mo或Cr或W或Ta或Ti或Ni或上述金属的合金。22.如申请专利范围第16项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,更包括形成一保护层于该绝缘基底上,以保护该薄膜电晶体元件的表面。23.如申请专利范围第16项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该闸极之材质系为Cu。24.如申请专利范围第23项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该缓冲层系为一氮化铜层。25.如申请专利范围第24项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该缓冲层系藉由为对该闸极进行一氮气电浆处理所形成。26.如申请专利范围第24项所述之薄膜电晶体元件的制造方法,其中该缓冲层系在NH3气体的存在下藉由对该闸极进行一退火制程所形,且该退火制程之温度范围系200-400℃形成。图式简单说明:第1a图是习知薄膜电晶体结构的剖面示意图;第1b图系为第1a图A部分之放大示意图;以及第2a-2e图是根据本发明实施例之薄膜电晶体结构的制程剖面示意图。 |
