| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包括:在基板上形成第1绝缘膜层的步骤;在上述第1绝缘膜层上形成第2绝缘膜层的步骤;以及在上述第2绝缘膜层上形成闸极的步骤;其特征在于:形成上述第2绝缘膜层的步骤系包括;供应成膜原料并吸附于上述第1绝缘膜层上的第1步骤;对未吸附之上述成膜原料进行迫净的第2步骤;供应氧化剂将所吸附之上述成膜原料予以氧化的第3步骤;以及对未作用于氧化的氧化剂进行迫净的第4步骤;且,复数循环连续重复施行形成上述第2绝缘膜层的步骤,并将最初既定次数循环之上述第4步骤的迫净时间,设定为较长于其后面循环之上述第4步骤的迫净时间。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,最初既定次数循环之上述第4步骤的迫净时间,系设定为其后面循环之上述第4步骤的迫净时间的5~15倍。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述第2绝缘膜层18系采用HfO2、HfAlOx、或HfSiOx、或者该等的氮化物之任一种。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述最初既定次数的循环系最初的10~20次循环。5.一种半导体装置之制造方法,包括:在基板上形成第1绝缘膜层的步骤;在上述第1绝缘膜层上形成第2绝缘膜层的步骤;以及在上述第2绝缘膜层上形成闸极的步骤;其特征在于:形成上述第2绝缘膜层的步骤系包括:供应成膜原料并吸附于上述第1绝缘膜层上的第1步骤;对未吸附之上述成膜原料进行迫净的第2步骤;供应氧化剂将所吸附之上述成膜原料予以氧化的第3步骤;以及对未作用于氧化的氧化剂进行迫净的第4步骤;且,复数循环连续重复施行形成上述第2绝缘膜层的步骤,并将最初既定次数循环之上述第2步骤的迫净时间,设定为较长于其后面循环之上述第2步骤的迫净时间。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中,最初既定次数循环之上述第2步骤的迫净时间,系设定为其后面循环之上述第2步骤的迫净时间的5-10倍。7.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中,上述第2绝缘膜层18系采用HfO2、HfAlOx、或HfSiOx、或者该等的氮化物之任一种。8.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中,上述最初既定次数的循环系最初的10~20次循环。9.一种半导体装置之制造方法,包括:在基板上形成第1绝缘膜层的步骤;在上述第1绝缘膜层上形成第2绝缘膜层的步骤;以及在上述第2绝缘膜层上形成闸极的步骤;其特征在于:形成上述第2绝缘膜层的步骤系包括:供应成膜原料并吸附于上述第1绝缘膜层上的第1步骤;对未吸附之上述成膜原料进行迫净的第2步骤;供应氧化剂将所吸附之上述成膜原料予以氧化的第3步骤;以及对未作用于氧化的氧化剂进行迫净的第4步骤;且,复数循环连续重复施行形成上述第2绝缘膜层的步骤,并将最初既定次数循环之上述第4步骤的迫净时间,设定为较长于其后面循环之上述第4步骤的迫净时间;且将最初既定次数循环之上述第2步骤的迫净时间,设定为较长于其后面循环之上述第2步骤的迫净时间。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中,上述最初既定次数循环之上述第4步骤的迫净时间,系设定为其后面循环之上述第4步骤的迫净时间的5~15倍;上述初既定次数循环之上述第2步骤的迫净时间,系设定为其后面循环之上述第2步骤的迫净时间的5~15倍。11.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法其中,上述第2绝缘膜层18系采用HfO2、HfAlOx、或HfSiOx、或者该等的氮化物之任一种。12.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中,上述最初既定次数的循环系最初的10~20次循环。13.一种半导体装置之制造方法,包括:在基板上形成第1绝缘膜层的步骤;在上述第1绝缘膜层上形成第2绝缘膜层的步骤;以及在上述第2绝缘膜层上形成闸极的步骤;其特征在于:形成上述第2绝缘膜层的步骤系包括:供应成膜原料并吸附于上述第1绝缘膜层上的第1步骤;对未吸附之上述成膜原料进行迫净的第2步骤;供应氧化剂将所吸附之上述成膜原料予以氧化的第3步骤;以及对未作用于氧化的氧化剂进行迫净的第4步骤;且,复数循环连续重复施行形成上述第2绝缘膜层的步骤,并将最初既定次数循环之上述第3步骤的上述氧化剂供应量,设定为较多于其后面循环之上述第3步骤的上述氧化剂供应量。14.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法,其中,最初既定次数循环之上述第3步骤的上述氧化剂供应量,系设定为其后面循环之上述第3步骤的上述氧化剂供应量的2~3倍。15.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法,其中,上述第2绝缘膜层18系采用HfO2、HfAlOx、或HfSiOx、或者该等的氮化物之任一种。16.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法,其中,上述最初既定次数的循环系最初的10~20次循环。17.一种半导体装置之制造方法,包括:在基板上形成第1绝缘膜层的步骤;在上述第1绝缘膜层上形成第2绝缘膜层的步骤;以及在上述第2绝缘膜层上形成闸极的步骤;其特征在于:形成上述第2绝缘膜层的步骤系包括:供应成膜原料并吸附于上述第1绝缘膜层上的第1步骤;对未吸附之上述成膜原料进行迫净的第2步骤;供应氧化剂将所吸附之上述成膜原料予以氧化的第3步骤;以及对未作用于氧化的氧化剂进行迫净的第4步骤;且,复数循环连续重复施行形成上述第2绝缘膜层的步骤;在上述第3步骤中,将上述氧化剂的供应分开复数次施行;并将最初既定次数循环之上述第3步骤的上述氧化剂供应次数,设定为较多于其后面循环之上述第3步骤的上述氧化剂供应次数。18.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法,其中,最初既定次数循环之上述第3步骤的上述氧化剂供应次数,系设定为其后面循环之上述第3步骤的上述氧化剂供应次数的2~3倍。19.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法,其中,上述第2绝缘膜层18系采用HfO2、HfAlOx、或HfSiOx、或者该等的氮化物之任一种。20.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法,其中,上述最初既定次数的循环系最初的10~20次循环。图式简单说明:第1图为供说明依本发明半导体装置之制造方法所制得半导体装置用的剖面示意图。第2图为供说明本发明半导体装置之制造方法用的流程图。第3(a)图至第3(d)图为针对第1绝缘膜层与第2绝缘膜层之界面附近,测量杂质的结果图。第4图为针对所制得半导体装置,调查供应电压与漏电流间之关系的实验结果图。 |
