| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种不会降低研磨性能，可进行光学式的终点检查的半导体晶圆用研磨垫及具备该研磨垫的半导体晶圆用研磨复层体以及半导体晶圆的研磨方法。本发明之研磨垫系具备：具有贯通正背的贯通孔的研磨垫用基体11、和嵌合于上记贯通孔内的透光性构件12，透光性构件系含有：非水溶性矩阵材料(1，2－聚丁二烯)、和分散于该非水溶性矩阵材料中的水溶性粒子(β－环糊精)，该水溶性材料的含有量系上记非水溶性矩阵材料和上记水溶性粒子的合计为100体积％的情况，水溶性粒子不满5体积％。此外，本发明之研磨复层体系在上记研磨垫的背面侧具备有支撑体。该些研磨垫及研磨复层体系在背面侧具备有固定用层13。 |
