发明名称 斜空腔半导体光电元件及其制法
摘要 兹揭示一新颖类型半导体发光装置,或"斜空腔发光装置"。该装置包含通常是放在空腔内的至少一带有主动区的主动元件,该主动区系藉由注入电流产生光学增益;与两个反射镜。该装置产生数个光模,其传播方向系相对于p–n接合平面及与此平面的垂直方向两者均呈倾斜。也揭示一种发光二极体,其中系将该空腔与反射镜设计成使得:所产生的光功率在某一光谱范围内及在对基板的某一角度范围内之传输最小化。在对应于该发光主动介质的发射范围及从该装置出来的某一角度范围内之光功率传输系经最佳化成以达到所需的输出功率水准。
申请公布号 TW200535922 申请公布日期 2005.11.01
申请号 TW093136425 申请日期 2004.11.26
申请人 NL-那诺半导体股份有限公司 发明人 雷登瑟夫, 尼可莱;旭库金, 维他立
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 王盛发
主权项
地址 德国