III-V METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING HIGH SPEED EPITAXIAL LIFT-OFF AND TEMPLATE FOR III-V DIRECT GROWTH AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME

摘要

반도체 소자의 제조 방법은, 제1 기판 및 상기 제1 기판상에 위치하는 패턴된 제1 III-V족 화합물층을 포함하는 템플릿(template)을 제공하는 단계; 상기 패턴된 제1 III-V족 화합물층상에 에피택시(epitaxy) 성장 방식으로 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층상에 에피택시 성장 방식으로 제2 III-V족 화합물층을 형성하는 단계; 상기 제2 III-V족 화합물층상에 실리콘으로 이루어진 제2 기판을 접합하는 단계; 및 상기 희생층을 제거함으로써 상기 제2 III-V족 화합물층 및 상기 제2 기판을 상기 템플릿으로부터 분리하는 단계를 포함한다. 템플릿의 패턴된 III-V족 화합물층으로부터 또 다른 III-V족 화합물층이 직접 성장 방식으로 제조되므로, III-V족 화합물과 다른 기판 사이의 결함이 제거되며, 대면적의 반도체 소자를 직접 성장 방식으로 제조할 수 있고, 웨이퍼(wafer) 크기의 제한이나 비용 증가 등의 문제점을 줄일 수 있다.