发明名称 导电通孔制程
摘要 一种导电通孔制程。首先,形成至少一贯孔于一基板上,且此贯孔系连接基板之第一表面与第二表面。接着,形成一光阻层于基板之贯孔内壁、第一表面以及第二表面。然后,形成多个槽道于光阻层上,其中每一槽道系自第一表面经由贯孔内壁,而延伸至第二表面,且这些槽道系分别暴露出部分贯孔内壁、部分第一表面以及部分第二表面。最后,填入一导电材质于每一槽道内,以分别形成一导线,并移除光阻层。此导电通孔制程可提供多重之讯号连接路径。
申请公布号 TWI244143 申请公布日期 2005.11.21
申请号 TW093105346 申请日期 2004.03.02
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 何昆耀;宫振越
分类号 H01L21/50 主分类号 H01L21/50
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种导电通孔制程,可制作多数个导线于单一贯孔中,该导电通孔制程包括:提供一基板,其中该基板具有一第一表面以及对应之一第二表面;形成该贯孔于该基板上,且该贯孔系连接该第一表面与该第二表面;形成一光阻层于该基板上,且该光阻层系覆盖该贯孔内壁、该第一表面以及该第二表面;形成多数个槽道于该光阻层上,其中每一该些槽道系自该第一表面经由该贯孔内壁,而延伸至该第二表面,且该些槽道系分别暴露出部分该贯孔内壁、部分该第一表面以及部分该第二表面;填入一导电材质于该些槽道内,以形成该些导线,且该些导线系分别自该第一表面经由该贯孔内壁,而延伸至该第二表面;以及移除该光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之导电通孔制程,其中在形成该贯孔之后,并且在形成该光阻层之前,更包括形成一电镀种子层于该贯孔内壁、该第一表面以及该第二表面,以藉由该电镀种子层,透过电镀的方式填入该导电材质,并在移除该光阻层后,移除该电镀种子层之暴露出的部分。3.如申请专利范围第1项所述之导电通孔制程,其中填入该导电材质之方法包括物理沉积与化学沉积其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之导电通孔制程,其中形成该些槽道之方法包括曝光、显影。5.如申请专利范围第1项所述之导电通孔制程,其中形成该些槽道之方法包括雷射烧蚀。6.如申请专利范围第1项所述之导电通孔制程,其中在移除该光阻层之后,更包括填入一绝缘材料于该贯孔内。7.一种导电通孔制程,可制作多数个导线于单一贯孔中,该导电通孔制程包括:提供一基板,其中该基板具有一第一表面以及对应之一第二表面;形成该贯孔于该基板上,且该贯孔系连接该第一表面与该第二表面;形成一导电层于该基板上,且该导电层系覆盖该贯孔内壁、该第一表面以及该第二表面;于该导电层上形成多数个条状光阻,其中每一该些条状光阻系自该第一表面经由该贯孔内壁,而延伸至该第二表面;移除该些条状光阻所暴露之部分该导电层,以形成该些导线,且该些导线系分别自该第一表面经由该贯孔内壁,而延伸至该第二表面;以及移除该些条状光阻。8.如申请专利范围第7项所述之导电通孔制程,其中在形成该贯孔之后,并且在形成该导电层之前,更包括形成一电镀种子层于该贯孔内壁、该第一表面以及该第二表面,并藉由该电镀种子层,以电镀的方式形成该导电层,之后在移除部分该导电层时,更同时移除部分该电镀种子层之暴露出的部分。9.如申请专利范围第7项所述之导电通孔制程,其中形成该导电层之方法包括物理沉积与化学沉积其中之一。10.如申请专利范围第7项所述之导电通孔制程,其中形成该些条状光阻之步骤包括:形成一光阻层于该导电层上;以及图案化该光阻层,以形成该些条状光阻。11.如申请专利范围第10项所述之导电通孔制程,其中图案化该光阻层之方法包括曝光、显影。12.如申请专利范围第10项所述之导电通孔制程,其中图案化该光阻层之方法包括雷射烧蚀。13.如申请专利范围第7项所述之导电通孔制程,其中在移除该些条状光阻之后,更包括填入一绝缘材料于该贯孔内。图式简单说明:第1A~1D图分别绘示为习知之一种导电通孔制程的剖面图。第2图绘示为习知之另一种导电通孔的加工示意图。第3A~3F图依序绘示为本发明之较佳实施例之第一种导电通孔制程的局部立体剖视图。第4A~4G图依序绘示为本发明之较佳实施例之第二种导电通孔制程的局部立体剖视图。
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