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发明名称
晶圆清洗方法
摘要
一种半导体晶圆的清洗方法。此清洗方法可减少或消除清洗制程中,因晶圆旋转使晶圆与清洗水或其他液体间的摩擦所导致之电荷累积损害。在一实施例中,晶圆放置在清洗反应室内的晶圆固定盘或支撑平台上。一离子气体在清洗液加到晶圆上时被导入清洗反应室中。此气体可藉由在液体中形成离子,以增加清洗液的导电性,因此可减少或消除清洗液之电荷累积,更避免介电材质的破坏,及/或晶圆上的金属腐蚀。在另一实施例中,把气体溶解在清洗液中,再把清洗液加到旋转的晶圆上。在又一实施例中,清洗液被加热后加至晶圆上。
申请公布号
TW200540980
申请公布日期
2005.12.16
申请号
TW094101236
申请日期
2005.01.14
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
彭宝庆;陶宏远
分类号
H01L21/30
主分类号
H01L21/30
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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