| 主权项 |
1.一种晶片之无凸块结合构造,包含:一基板,其系具有一第一表面及一第二表面,复数个连接垫系形成于该基板之该第一表面;一晶片,其系设于该基板之该第一表面,该晶片系具有一主动面,复数个焊垫系形成于该主动面;及一异方性导电胶(anisotropic conductive film, ACF),其系设于该晶片之该主动面而覆盖该些焊垫,该异方性导电胶系包含有复数个硬质金属颗粒,以电性连接该晶片之该些焊垫及该基板之对应连接垫。2.如申请专利范围第1项所述之晶片之无凸块结合构造,其中每一硬质金属颗粒系具有复数个穿刺端。3.如申请专利范围第1项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该些硬质金属颗粒系为镍颗粒。4.如申请专利范围第2项所述之晶片之无凸块结合构造,其中一氧化层系形成于该晶片之该些焊垫上。5.如申请专利范围第4项所述之晶片之无凸块结合构造,其中部分该些硬质金属颗粒之该些穿刺端系刺穿该氧化层。6.如申请专利范围第4项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该晶片之该些焊垫系为铝垫。7.如申请专利范围第1项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该晶片系为一光电晶片。8.如申请专利范围第7项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该晶片之该主动面系包含有一光作动区,该些焊垫系排列于该光作动区之外周边。9.如申请专利范围第8项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该异方性导电胶系涂布为回字形,以覆盖该些焊垫而不污染该光作动区。10.如申请专利范围第8项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该异方性导电胶系黏结该晶片之该主动面与该基板之该第一表面,并气密该光作动区。11.如申请专利范围第7项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该晶片系选自于影像感测(image sensor)晶片、LCOS(Liquid Crystal On Silicon,液晶矽基板)晶片、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补性氧化金属半导体)晶片与CCD(Charge-Coupled Device,电荷藕合元件感测器)晶片之其中之一。12.如申请专利范围第1项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该晶片之相邻焊垫之间隔系大于200m。13.如申请专利范围第1或8项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该基板系具有一窗口,其系贯通该基板之该第一表面与该第二表面。14.如申请专利范围第13项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该晶片之该光作动区系朝向且对应于该基板之该窗口。15.如申请专利范围第13项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该基板之该些连接垫系排列于该窗口之周边。16.如申请专利范围第13项所述之晶片之无凸块结合构造,其另包含有一透明盖板,其系结合于该基板之该第二表面,该透明盖板与该晶片之该主动面系于该窗口处形成一密闭空间。17.如申请专利范围第16项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该晶片之该光作动区系气密于该密闭空间。18.如申请专利范围第1项所述之晶片之无凸块结合构造,其中该基板系选自于玻璃基板、软性电路板、陶瓷电路板与印刷电路板之其中之一。图式简单说明:第1图:习知影像感测器之凸块结合构造之截面示意图;第2图:依本发明之第一实施例,一种晶片之无凸块结合构造之截面示意图;及第3图:依本发明之第二实施例,一种晶片之无凸块结合构造之截面示意图。 |
