半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置包括在基板(1)上形成的绝缘膜(6,8)、在绝缘膜(6,8)中形成的埋入连线(14)、以及在绝缘膜(6,8)与埋入连线(14)之间形成的金属阻挡膜(A1)。金属阻挡膜(A1)由绝缘膜(6,8)所在侧向着埋入连线(14)所在侧依序叠层形成的金属氧化物膜(11)、迁移层(12a)及金属膜(13)构成；迁移层(12a)由具有金属氧化物膜(11)的组成及含属膜(13)的组成的大体中间组成的单一原子层所构成。