发明名称 一种积体电路结构及制造方法
摘要 根据本发明,一种积体电路包括一半导体底材上之隔离场区域。闸介电层系形成于底材表面上。闸电极系形成于闸介电层上。光阻系形成且覆盖于主动区域上。选择性地蚀刻虚拟图案。选择性地蚀刻虚拟底材,按着移除光阻。一对间隙壁系形成于沿着该闸电极与该闸介电层之相对边墙上。源极和汲极系形成于底材表面上,并且于闸极之相对边上。矽化金属形成于闸电极、源极和汲极上。随后形成一内层介电层。接着形成一接触开口及金属线路。
申请公布号 TW200601496 申请公布日期 2006.01.01
申请号 TW093136664 申请日期 2004.11.26
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林全益;吴显扬;杨育佳
分类号 H01L21/82 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号