发明名称 半导体装置
摘要 提供一种对以铜为主构成材料之配线构造,抑制应力迁移所造成之空隙发生,且信赖性高之半导体装置。对于被形成在半导体基板上之多层配线构造,使成为可连接于由主构成材料为铜所构成之第1配线之上面,由下方依顺序至少叠层隔离性高且具有压缩应力之第1绝缘膜;具有拉伸应力之第2绝缘膜;和比上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜介电率低之第3绝缘膜,并设置导通孔(via hole)使可贯通上述第1绝缘膜、上述第2绝缘膜及上述第3绝缘膜,连接于上述第1配线的配线构造。
申请公布号 TW200601495 申请公布日期 2006.01.01
申请号 TW094113466 申请日期 2005.04.27
申请人 瑞萨科技股份有限公司 发明人 岛津广美;岩崎富生;太田裕之;石川宪辅;井上修;大岛隆文
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本
您可能感兴趣的专利