| 摘要 |
本发明关于含锗材料之制备，而且关于一种用于制备高纯度氢化锗(其适合在微电子技术中作为锗来源)之电化学方法之发展。氢化锗系藉由在隔膜电池之镍阴极处，以1.0－1.5安培／平方公分之电流密度及不高于65℃之温度，电解含浓度不小于40克／公升至溶解度限制之二氧化锗之硷性水溶液而制备，其首先使电流通过此硷性水溶液得到氢化锗所限最小可能污染物含量所需之时间。此电解系以电解质流之互混实行，其在移除氢化锗与氢后将一电解质流自阴极槽进料至阳极槽中，及在移除氧后将一电解质流自阳极槽进料至阴极槽中。将在合成后得到之氢化锗自具氢之混合物隔离。为了更完全地纯化，藉薄膜法将隔离之氢化锗纯化。技术结果为制备其中污染物SiH4、AsH3、PH3、H2S，CH4、Fe、Ni、Al、Ca、Mg等之总含量不超过1x10^-6％－1x10^-7之氢化锗，其对相当大领域之实际应用为可接受的。使用薄膜法确保自氢化锗移除大小为0.05微米之悬浮颗粒至少于5.5x10^-3个颗粒／莫耳之程度，使其适合，例如，如光学及雷射工程之领域。此方法之生产力为40－50克／小时。本说明书含2个主项、8个附属项、及1个实例。 |
