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发明名称
静电放电保护电路之半导体结构及其形成方法
摘要
一种半导体积体电路结构,包括布置于基材中之复数个二极体。这些二极体电性串联耦接。至少一嵌入区布置于两个二极体间之基材中,以及一供应电压节点电性耦接嵌入区。较佳的是,一保护环包围这些二极体。
申请公布号
TW200601544
申请公布日期
2006.01.01
申请号
TW093137087
申请日期
2004.12.01
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
黄绍璋;李建兴
分类号
H01L23/60
主分类号
H01L23/60
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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