发明名称 静电放电保护电路之半导体结构及其形成方法
摘要 一种半导体积体电路结构,包括布置于基材中之复数个二极体。这些二极体电性串联耦接。至少一嵌入区布置于两个二极体间之基材中,以及一供应电压节点电性耦接嵌入区。较佳的是,一保护环包围这些二极体。
申请公布号 TW200601544 申请公布日期 2006.01.01
申请号 TW093137087 申请日期 2004.12.01
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 黄绍璋;李建兴
分类号 H01L23/60 主分类号 H01L23/60
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号