半导体元件与其中的多晶矽薄膜电晶体及其制造方法

摘要

形成于半导体底材上的一种薄膜电晶体，包括一多晶矽层、一闸极绝缘层、一氢原子供应层以及一闸极。多晶矽层形成于半导体底材上，其中多晶矽层之二侧端分别作为薄膜电晶体之源极与汲极，而该多晶矽层之部位则做为薄膜电晶体之通道。闸极绝缘层形成于多晶矽层上，氢原子供应层形成于闸极绝缘层上。其中氢原子供应层系供应氢原子至多晶矽层之通道，使该多晶矽层中之复数个未饱和键得以形成复数个氢键，以避免该等未饱和键降低通道的载体移动效能。而闸极形成于氢原子供应层上表面，且位于通道之正上方。